[email protected]
15562450816
中文 | English
網(wǎng)站首頁
關(guān)于我們
公司簡介
企業(yè)文化
專利證書
產(chǎn)品展示
半導(dǎo)體工藝設(shè)備
化合物半導(dǎo)體設(shè)備
新聞資訊
公司新聞
行業(yè)資訊
合作伙伴
工程團隊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯(lián)系我們
English
產(chǎn)品分類
氧化/擴散/退火
立式爐
SiC高溫氧化爐
SiC高溫退火爐
臥式爐
CVD設(shè)備
立式LPCVD
臥式LPCVD
化合物晶體設(shè)備
SiC單晶生長設(shè)備
PVT法長晶爐
液相法長晶爐
籽晶粘接設(shè)備
GaN單晶生長設(shè)備
Ga2O3單晶生長及外延設(shè)備
導(dǎo)模法長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
HVPE外延爐
金剛石單晶生長設(shè)備
GaAs / InP 單晶生長設(shè)備
聯(lián)系方式
地址：濟南市槐蔭區(qū)濟南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園
電話：15562450816
郵箱：[email protected]
該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的氧化、擴散、退火、合金等工藝。 氧化工藝：主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝。
在線留言
擴散/氧化/退火
Ga2O3單晶生長設(shè)備
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網(wǎng)站建設(shè)：中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業(yè)執(zhí)照 | 城市分站
<big id="3quua"></big>
